La Memoria RAM 4GB DDR4 2666MHz SO-DIMM CL19 Non-ECC 1.2V de Samsung es una opción ideal para quienes buscan mejorar el rendimiento de su equipo portátil o servidor. Con un diseño compacto y eficiente, esta memoria está diseñada específicamente para satisfacer las necesidades de los usuarios que requieren velocidad y fiabilidad en sus tareas diarias.

Con una capacidad de 4GB, esta memoria RAM permite un rendimiento fluido en aplicaciones multitarea, garantizando que tu sistema funcione sin problemas. Su factor de forma SO-DIMM la hace perfecta para laptops y sistemas compactos, mientras que su velocidad de 2666MHz asegura que los datos se procesen rápidamente, mejorando la experiencia general del usuario.

La latencia CL19 de esta memoria RAM proporciona un equilibrio óptimo entre velocidad y eficiencia, permitiendo que los datos se transfieran de manera efectiva. Además, al ser Non-ECC, es ideal para usuarios que no requieren la corrección de errores, lo que la convierte en una opción más económica sin sacrificar el rendimiento.

Con un voltaje de 1.2V, esta memoria es energéticamente eficiente, lo que contribuye a prolongar la duración de la batería de tu dispositivo. Su diseño de 260 pines asegura una fácil instalación en la mayoría de los sistemas compatibles, y su construcción robusta garantiza una larga vida útil.

La Samsung M471A5244CB0-CTD no solo es funcional, sino que también presenta un diseño atractivo en colores negro y verde, lo que la hace lucir bien en cualquier configuración. Además, su capacidad de operar en un rango de temperatura de 0 a 85 °C la hace adecuada para diversas condiciones ambientales, asegurando un rendimiento constante.

En resumen, la Memoria RAM 4GB DDR4 2666MHz SO-DIMM CL19 Non-ECC de Samsung es una excelente elección para quienes buscan mejorar la capacidad de su equipo sin complicaciones. Con su combinación de velocidad, eficiencia y diseño, esta memoria RAM es una inversión que sin duda mejorará tu experiencia informática.

• Marca: Samsung
• PN: M471A5244CB0-CTD
• Capacidad: 4GB
• Factor de Forma: So-DIMM
• Velocidad: 2666MHz
• Latencia CL: 19
• Corrección de Errores: No ECC
• Voltaje: 1.2V
• Pines: 260 pines
• Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
• Memoria interna: 4 GB
• Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
• Tipo de memoria interna: DDR4
• Velocidad de reloj de memoria: 2666 MHz
• Componente para: PC/servidor
• Clasificación de memoria: 2
• Tensión de memoria: 1.2 V
• Configuración de módulos: 512M x 64
• Color del producto: Negro, Verde
• Retroiluminación: Sí
• Temperatura de operación (T-T): 0 - 85 °C
• Altura: 30 mm
• bus_frequency_value: 2666
• bus_bus_bus_pincount: 260
• bus_bus_bus_format_name: SO-DIMM
• bus_bus_bus_type_name: DDR4
• capacity_dimm_quantity_value: 1
• capacity_total_capacity_value: 4096
• capacity_dimm_capacity_value: 4096
• line_brand_brand_name: Samsung
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• name: M471A5244CB0-CTD
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