La Memoria RAM 8GB DDR5 5600MHz SO-DIMM CL46 Non-ECC de Samsung es una opción excepcional para quienes buscan mejorar el rendimiento de sus dispositivos portátiles. Este módulo de memoria, modelo M425R1GB4BB0-CWMOL, está diseñado específicamente para notebooks y ofrece una capacidad de 8 GB, ideal para tareas cotidianas y aplicaciones más exigentes.

Con una velocidad de 5600 MHz, esta memoria RAM DDR5 proporciona un ancho de banda superior, lo que se traduce en un rendimiento más rápido y eficiente. La latencia CAS de CL46 asegura que los tiempos de respuesta sean óptimos, permitiendo que tu sistema funcione sin interrupciones, incluso durante las tareas más intensivas.

Este módulo SO-DIMM cuenta con 262 pines y opera a un voltaje de 1.1V, lo que lo hace compatible con una amplia gama de portátiles y sistemas AIO. A diferencia de otros módulos, este no incluye un disipador de calor, lo que lo hace más ligero y fácil de instalar, sin comprometer su rendimiento.

La memoria RAM Samsung M425R1GB4BB0-CWMOL no es ECC, lo que significa que está diseñada para un uso general y no para aplicaciones críticas que requieren corrección de errores. Esto la convierte en una opción perfecta para usuarios que buscan un equilibrio entre rendimiento y costo, sin necesidad de características avanzadas.

En resumen, si buscas una memoria RAM confiable y de alto rendimiento para tu portátil, la Memoria RAM 8GB DDR5 5600MHz SO-DIMM CL46 Non-ECC de Samsung es una elección inteligente. Mejora la velocidad de tu sistema y disfruta de una experiencia de usuario fluida y eficiente, ya sea para trabajar, jugar o navegar por la web.

• Marca: Samsung
• Modelo: M425R1GB4BB0-CWMOL
• Capacidad: 8GB
• Tipo de memoria: DDR5
• Velocidad: 5600 MHz
• Módulo: SO-DIMM
• Latencia CAS: CL46
• Soporte ECC: No
• Voltaje de memoria: 1.1 V
• Número de pines: 262 Pines
• Compatibilidad: Portátiles, AIO
• Disipador: No posee
• Segmento: Value
• Etiquetas: Notebook
• Cantidad de módulos: 1
• Capacidad total: 8192 MB